Арсенид галлия используется в производстве сверхвысокочастотных электронных компонентов. На основе Арсенида галлия выпускается широкий ассортимент высокочастотных диодов (диод Ганна, туннельный диод), транзисторов, светодиодов, лазерных диодов, интегральных схем, а так же фотоприёмникови детекторов ядерных из…
Получить ценуАрсени?д га?ллия-и?ндия (иные названия: индия галлия арсенид, индия-галлия арсенид, арсенид индия-галлия, галлия индия арсенид и др.) — тройное соединение мышьяка с трехвалентными индием и галлием, соединение переменного состава, состав выражается химической формулой GaxIn1-xAs. Здесь параметр x принимает значения от 0 до 1 и показывает относительное количество атомов галлия и индия в соединении. При x=1 фор…
Получить ценуInGaAs представляет собой серые, почти чёрные кристаллы с металлическим блеском. Температура плавления изменяется в зависимости от состава (х) от 942 °С (у InAs) до 1240 °С (у GaAs). Хорошо изученное соединение состава Ga0,47In0,53As плавится при температуре около 1100 °С.
Получить ценуАрсенид галлия является полупроводниковым материалом из класса соединений AIII BV и представляет собой тёмно-серый кристалл, обладающий металлическим …
Получить ценуАрсенид галлия-индия — тройное соединение мышьяка с трехвалентными индием и галлием, соединение переменного состава, состав выражается химической …
Получить ценуАрсенид галлия используется нами для изготовления окон, линз и призм, применяющихся в пропускающей оптике для ИК и ТГц диа-пазонов частот. Также …
Получить ценуОпределение, значение, предложения, синонимы «арсенид галлия» Полупроводники теллурид кадмия и арсенид галлия используются для изготовления солнечных …
Получить ценуАрсенид галлия - один из самых перспективных полупроводниковых материалов, так как ширина запрещенной зоны его превышает ширину …
Получить ценуАрсенид галлия (GaAs) является важным полупроводником, третьим по масштабам использования в промышленности после кремния и германия.
Получить ценуАрсени?д га?ллия (GaAs) — химическое соединение галлия и мышьяка. Кристаллы темно-серые с фиолетовым оттенком и металлическим блеском. Один из основных полупроводников. В настоящее время по масштабам использования в промышленности занимает второе место после кремния . Содержание 1 …
Получить ценуАрсени?д га?ллия-и?ндия (иные названия: индия галлия арсенид, индия-галлия ... Полупроводник — (Semiconductor) Определение полупроводника, строение полупроводников и принцип действия …
Получить ценуАрсени?д га?ллия ( GaAs) Химическое соединение галлия и мышьяка. Важный полупроводник, третий по масштабам использования в промышленности после кремния и германия. Используется для …
Получить ценуПредел рабочей частоты ее кремниевых процессоров около 10 гигагерц, а арсенид галлия может работать и на 100 гигагерцах, а есть образцы, которые работают на одном террагерце.
Получить ценуНекоторые электронные свойства GaAs превосходят свойства кремния. Арсенид галлия обладает более высокой подвижностью электронов, которая позволяет приборам работать на частотах до 250 ГГц.
Получить цену2 Подготовка и определение характеристик омических контактов ... таких как кремний и арсенид галлия. ...
Получить ценуАрсенид галлия (GaAs) является важным полупроводником, третьим по масштабам использования в промышленности после кремния и германия.
Получить ценуВ обозначении марки GaAs указывают вид материала (АГ – арсенид галлия), способ получения (Ч – по методу Чохральского, Н – методом направленной кристаллизации), вид легирующей примеси (Ц – цинк, …
Получить ценуАрсенид галлия, как и большинство соединений типа A III B V изоструктурен сфалериту ZnS, устойчив к действию воды, щелочей и воздуха и с трудом разлагается серной и соляной кислотой. GaAs + 3HCl = GaCl 3 ...
Получить ценуЛегируя арсенид галлия радиоактивными атомами кремния, удалось установить, что до концентрации порядка 1017 см-3 все атомы кремния являются донорами с малой энергией ионизации, т.е. заменяют ...
Получить ценуарсенид алюминия-галлия; арсенид-нитрид галлия-индия; фосфид галлия-индия. Длина волны ...
Получить ценуСреди новых материалов можно выделить карбид кремния (SiC), арсенид галлия (GaAs), нитрид галлия (GaN) и другие менее разработанные, но не менее интересные соединения.
Получить ценуАРСЕНИД ГАЛЛИЯ / МИКРОИ ... Поскольку определение микропримесей на уровне 1 ? 10-6 — 1-10-11 требует разработки дорогостоящего оборудования и значительно повышает себестоимость изделий ...
Получить ценуПеревод и определение арсенид галлия, словаря русский - французский в Интернете. Мы нашли как минимум 10 переведенных предложений с арсенид галлия .
Получить ценуАрсенид алюминия-галлия — Арсенид алюминия галлия … Википедия. галлия арсенид — galio(III) arsenidas statusas T sritis chemija formul? GaAs atitikmenys: angl. gallium arsenide rus. галлия …
Получить ценуПриведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное. Арсени?д га?ллия-и?ндия (иные названия: индия галлия арсенид, индия-галлия арсенид, арсенид индия-галлия, галлия ...
Получить ценуАрсени?д га?ллия-и?ндия ( иные названия: индия галлия арсенид, индия-галлия арсенид, арсенид индия-галлия, галлия индия арсенид и др .) — тройное соединение мышьяка с трехвалентными индием и …
Получить ценуАрсени?д га?ллия (GaAs) — химическое соединение галлия и мышьяка. Кристаллы темно-серые с фиолетовым оттенком и металлическим блеском. Один из основных полупроводников. В настоящее время по масштабам использования в промышленности занимает второе место после кремния . Содержание 1 …
Получить ценуАрсенид алюминия-галлия (иные названия: алюминия галлия арсенид, алюминия-галлия арсенид ) — тройное соединение мышьяка с трехвалентными алюминием и галлием, переменного состава, состав выражается химической формулой Al x …
Получить ценуПредел рабочей частоты ее кремниевых процессоров около 10 гигагерц, а арсенид галлия может работать и на 100 гигагерцах, а есть образцы, которые работают на одном террагерце.
Получить цену2 Подготовка и определение характеристик омических контактов ... таких как кремний и арсенид галлия. ...
Получить ценуНекоторые электронные свойства GaAs превосходят свойства кремния. Арсенид галлия обладает более высокой подвижностью электронов, которая позволяет приборам работать на частотах до 250 ГГц.
Получить ценуСОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, ПОЛУЧЕННЫЕ ... Арсенид галлия обладает относительно большим коэффициентом оптического поглощения, сравнительно большей шириной запрещенной ...
Получить ценуТекст ГОСТ 25948-83 Арсенид галлия и фосфид галлия монокристаллические. Измерение удельного ...
Получить ценуАрсенид галлия (GaAs) является важным полупроводником, третьим по масштабам использования в промышленности после кремния и германия.
Получить ценуЛегируя арсенид галлия радиоактивными атомами кремния, удалось установить, что до концентрации порядка 1017 см-3 все атомы кремния являются донорами с малой энергией ионизации, т.е. заменяют ...
Получить ценуИсследовано влияние характеристического рентгеновского излучения на полуизолирующий ...
Получить ценуАрсенид галлия, как и большинство соединений типа A III B V изоструктурен сфалериту ZnS, устойчив к действию воды, щелочей и воздуха и с трудом разлагается серной и соляной кислотой. GaAs + 3HCl = GaCl 3 ...
Получить цену
